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一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法，它可以有效保护自对准难溶金属硅化合物阻挡层。它至少依次包括以下步骤：NMOS，PMOS源漏注入；自对准难溶金属硅化合物阻挡层生长；涂胶；自对准难溶金属硅化合物阻挡层掩膜版光罩；湿法刻蚀；干法去胶；湿法去胶；源漏扩散退火。因为本发明将源、漏扩散退火这一过程放置到salicide生长前的HF处理之前，利用源、漏扩散退火对自对准难溶金属硅化...
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