首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

一种CMOS浅沟槽结构及其制作方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种CMOS浅沟槽结构，包括带有浅沟槽的硅衬底和位于上层的氮化硅，在硅衬底的沟槽中填充有二氧化硅。本发明还公开了一种制作上述的CMOS浅沟槽结构的方法，首先备制好浅沟槽，制作出带有浅沟槽的硅衬底及上部覆盖有氮化硅的结构，然后用氧化的方法使浅沟槽内侧的硅反应生成二氧化硅，并将浅沟槽填充。本发明通过使硅衬底的硅反应生成二氧化硅并填充浅沟槽而起到隔离的作用，其方法容易实现，成本低廉，...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统