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一种去除硅片背面氮化硅的方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种去除硅片背面氮化硅的方法。本发明一种去除硅片背面氮化硅的方法，包括以下步骤：第一步，在硅片上进行侧墙氧化硅生长；第二步，生长侧墙氮化硅；第三步，生长自对准硅化物阻挡层；第四步，在硅片正面表面涂布一层有机物；第五步，用浸泡的方法去除硅片背面的氮化硅；第六步，去除第四步中涂布在硅片正面的有机物。本发明可以节约氮化硅去除所需使用的时间和药液，节约成本。本发明适用于半导体集成工艺领...
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