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平板电容结构和平板电容、栅极和电阻的形成工艺方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种平板电容结构及平板电容、栅极和电阻的形成工艺方法，它可以简化工艺，降低成本。在所述的平板电容结构中以多晶硅作为它的下极，在平板电容、栅极和电阻的形成工艺方法，它主要包括以下步骤，第一步，多晶硅化学气相沉积成长，并全面磷注入；第二步，层间介质化学气相沉积生长，并以光刻胶为掩膜刻蚀去除电容的下极及高阻以外的层间介质；第三步，金属层溅射；第四步，阻挡氧化层化学气相沉积成长；第五步...
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