首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法，在对整个MOS场效应管区域进行阈值电压离子注入的基础上，增加一次阈值电压调节离子注入步骤：首先确定增加一次阈值电压调节离子注入区域，即MOS场效应管宽度(W)方向的两端靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分(a)；然后制作用于增加一次阈值电压调节离子注入步骤的光刻板；最后进行流片，即在原有阈值电压调节离子注入步骤后，进行所述的增加一次阈值电压调...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统