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用于相变存储器的含硅系列硫族化合物相变薄膜材料

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明涉及一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化合物相变薄膜材料，包括3种类型，其一是TeaSibSb100-(a+b)合金薄膜，其二是Si掺杂进入Ge-Sb-Te 合金之中形成的(TeaGebSb100-(a+b))cSi100-c薄膜，其三是Si部分取代Ge-Sb-Te合金中的Ge得到的TeaSicGe(b-c)Sb100-(a+b)合金薄膜。　　本发明具有比常用的Ge2Sb2...
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