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一种纳米碳化硅材料的制备方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及一种纳米碳化硅材料的制备方法。本方法以商用纳米量级、微米量级或块状等不同形状和大小的SiC原料为原材料，加上催化剂，预先抽真空，然后通入惰性气体作为保护气氛，最后加热至1300～2000℃并保温一段时间，制备得到的具有碳化硅纳米棒或纳米线的纳米材料，有助于相关碳化硅光电器件，特别是纳米光电器件和场发射阴极电子源的研制。本方法工艺简单，原材料成本低，产率高。...
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