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高真空CVD低温外延技术及其应用

2004年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

为了克服普通常压高温（＞1000℃）CVD外延技术基底杂质外扩散、自掺杂严重，不能生长亚微米、纳米薄层材料的缺点。我们于国内首先提出超高真空（UHV）CVD低温外延技术新思想，设计出第一个UHVCVD设备方案，建成了第一台UHVCVD外延设备，首先系统地发展了UHVCVD低温外延技术，应用它生长出多种优质低维半导体薄膜材料，目前该技术在我国已得到重视与推广应用。
本项目...

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