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可用于相变存储器多级存储的相变材料

2007年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种可多级存储的相变存储器。本发明的设计原理是基于相变材料的电阻可以在很大范围内变化,相变材料结构状态的改变将伴随着电阻性能的变化,其变化幅度可以达到多个数量级,脉冲电压可以使相变材料在不同的结构状态之间可逆转换,利用不同状态间电阻性能的改变可以实现多级存储。本发明方法简单易行,并且可以在不改变存储器器件结构的情况下大幅度提高存储器的容量。...
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