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高频大功率GaN器件

2007年

应用技术

中期阶段

成果简介

在国内率先建立了拥有自主知识产权和核心技术的2英寸GaN功率器件研制基地，在国产材料上实现的GaN功率器件处于国内领先水平，实现了GaN基高温高频大功率微电子材料和功率器件小批量供应，通过与中国科学院半导体研究所、中国科学院物理研究所密切合作，建立我国首个宽禁带半导体器件与材料研制基地。发表学术论文33篇，申请国家发明专利11项。主要成果如下：
（1）C波段功率器件

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