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纳米硅薄膜材料

2007年

应用技术

成果简介

纳米硅（nc-Si:H）材料具有高的室温电导率和掺杂效率以及好的光热稳定性特点，因而在微电子领域具有良好的应用前景。本项目使用半导体常规工艺中的PECVD薄膜沉积技术成功的制备出具有纳米相结构的硅薄膜（nc-Si:H）。到目前为止，这在国内外尚属少见。
我们采用PECVD法合成的纳米硅薄膜是结构上完全区别于微晶硅、单晶硅、多晶硅和非晶硅的硅族半导体材料，其主要特性如下：...

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