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纳米硅材料制备及发光特性研究

2007年 应用技术
  • 成果简介
硅是间接带半导体材料，因此，并非很好的光电子材料。但当空间尺寸压缩到纳米量级时，在量子限制条件下，可能打破硅材料的晶格对称性并使不同的动量态相互混杂，诱发有效的发光与光学增益态，从而获得硅基材料的高效光发射。本项目采用化学汽相淀积（CVD）技术，利用分子筛固有的纳米量级孔道，在其内组装制备纳米硅材料，并研究纳米硅材料的表征及发光特性。
主要研究成果
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