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极紫外投影光刻实验样机

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　为适应高容量集成电路发展的需求，光刻技术的发展越来越呈现出短波长趋势——从g线（436nm）、i线（365nm）及准分子激光器KrF（248nm）、ArF（193nm）。目前进行商业开发的F2（157nm）光刻设备可复制的最小特征为0.07μm，进一步缩小集成电路的特征尺寸，要采用极紫外投影光刻技术，适于复制线宽为0.1～0.03um的数代集成电路。
　　在13.0nm极紫外投影光...
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