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单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　专利号:ZL01140441.8。
　　单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺属于硅基微传声器技术领域，其特征在于：
　　上电极振膜在声学孔处有纹槽以大大降低膜的应力，并采用复合膜结构使其膜的张应力和压应力相互抵消，下电极板为用单晶硅衬底制作，在上、下电极间有绝缘层，中间有气隙。复合膜采用多晶硅/氮化硅结构。纹槽共有六种结构。在纹槽间有一系列小的凹形支撑结构，背极背上...
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