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一种合成三氧化钼单晶纳米带的方法

2007年

应用技术

成果简介

　　专利号：ZL02104181.4
　　一种合成三氧化钼单晶纳米带的方法，涉及一种低维纳米材料的制备。本发明是以可溶性钼酸盐为钼源，高氯酸为酸化沉淀剂，水为介质，在室温下得到澄清溶液，然后转移到反应釜中，于100～200℃的温度下进行水热反应，通过严格控制溶液的H^+浓度(10mol/L＞[H^+]＞0.01mol/L)和酸的滴加速度(10mL/min＞ν＞0.1mL/mi...

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