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制备组分渐变薄膜的磁控射靶

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　专利号：ZL01140442.6　　
　　制备组分渐变薄膜的磁控溅射靶，属于磁控溅射技术领域，特别涉及一种薄膜制备的磁控溅射靶的结构。本实用新型的特点是在一个靶体内放置两个并列的由单环形跑道磁场构成的双环形跑道结构，其两种溅射靶材分别放置在两个环形磁场的对应位置上，或者是采用两种单环形跑道结构，一种单环形跑道磁场是由内外平行的左右两半环形跑道构成，两种溅射靶材分别放置在环形磁场左右...
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