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MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
一种MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法属微电子器件制备技术领域，包括14个工艺操作步骤：制备衬底和下电极；生长二氧化硅薄膜；制备凹腔；溅射铝膜；制备牺牲层；淀积氮化硅薄膜；溅射铝膜；光刻腐蚀孔；去正胶和铝膜；光刻上电极图形；溅射钛铂金膜；制备钛铂金电极；腐蚀牺牲层，得空腔体；脱水干燥，得衰减器芯片，有制备工艺简单、适于批量生产、产品体积小、性能好等优点，适于用来制备MEMS电可调光衰减器...
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