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功率晶体管背面金属化

2007年 应用技术
  • 成果简介
成果综述：该成果采用先进的磁控溅射技术，采用金属银为主要的背面金属化层材料并结合合理的工艺方案，成功地解决了功率晶体管可靠性问题。该技术的特点是多层金属薄膜层间热应力匹配好，欧姆接触优良，具有很强的附着力。应用于硅大功率晶体管3DA861（TO220封装）上，显著地改善了晶体管的电学性能和热学性能：器件的饱和压降降低，大电流特性改善，热阻减小并且一致性好。特别是晶体管的热疲劳寿命达到三万次...
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