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高压SOI复合结构耐压层击穿机理

2007年 应用技术
  • 成果简介
本项目提出具有复合耐压层的新器件结构，对具有SOI复合结构高压器件的耐压机理进行研究，并提出SOI高压器件的界面电荷耐压模型。根据电位移连续性，界面电荷提高了埋氧层内的电场，屏蔽了高电场对漂移区的影响。该结构使埋氧层电场从习用的75V/um提高到140V/um以上。在横向采用U形栅极结构，这不仅在提高横向耐压的同时减小了横向尺寸，从而降低了导通电阻。本项目提出的复合结构耐压层显著提高了器件...
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