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功率半导体器件的耐压层

2007年 应用技术
  • 成果简介
为了解决高速多子功率器件中导通电阻和击穿电压的矛盾而其它优越性继续维持，提出了两种纵向器件耐压的新结构，电学性能为国际领先，这是对传统功率器件的“硅极限”的重大新突破。又提出了与CMOS或BiCMOS工艺全兼容的横向（表面）功率器件的新结构，包括高侧器件及低侧器件，制出了电学性能属国际领先且成本很低的横向器件，其电流密度·耐压/开关时间为国际上现有器件的十倍以上，且导通电阻最低。获得三项中...
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