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自催化VLS法选择定位生长GaN纳米线阵列及其发光特性

2007年

应用技术

成果简介

　　本项目旨在探索一种选择定位生长GaN纳米线阵列图形结构的新方法，即用合成的GaN纳米线组成随机图形，在高温下使GaN分解，形成与GaN纳米线图形相同的Ga液滴图形，再以Ga液滴为生长核心，在NH_3作用下生长出GaN纳米线阵列图形。通过一年的探索研究，我们掌握了在低真空条件下合成GaN纳米线的关键技术；意外发现了大面积合成非晶氧化硅纳米线有序阵列的新方法；系统研究了衬底上GaN纳米线和GaN薄...

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