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双离子束溅射制备过渡金属掺杂稀磁半导体薄膜及磁电光性质

2007年

应用技术

成果简介

稀磁半导体(DMS) 材料由于它同时具有电子电荷和电子自旋性质，因而DMS 器件可以直接与现有的半导体器件集成，在光、电、磁功能集成等新型器件方面具有重要的应用。至今居里温度（Tc）的大范围变化仍然令人费解。扩展更多的掺杂磁元素或生长更多种类材料来提高DMS材料的Tc是当前的首要问题。本项目拟以宽带隙氧化物ZnO为基础材料，充分发挥和利用双离子束溅射沉积薄膜技术（DIBSD）的特点，开展过...

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