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反应溅射多晶四氧化三铁薄膜的电子输运特性研究

2007年 应用技术
  • 成果简介
用反应溅射法（对向靶反应溅射法和一般磁控溅射法）在室温下制备出了高质量的多晶Fe_3O_4薄膜材料，从而解决了低温下用反应溅射法制备高纯度Fe_3O_4薄膜材料的技术难题。磁电阻测量发现，在5.0 T的外加磁场下，Fe_3O_4薄膜的室温磁电阻值达到-7.4%，9.0 T磁场下更可达-10%，是目前所观察到的较好结果。此外，Fe_3O_4薄膜的Hall电阻率（正常和反常Hall电阻率）比纯...
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