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新型半导体材料与器件物理

2007年 应用技术
  • 成果简介
  本项目立足于以氮化镓基材料为主的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的正向电学品率特性研究。我们提出了一种能精确确定结电压、串联电阻、理想化因子和结电容与电压和频率关系的方法,发现低频率大电压下发光器件都呈现负电容效应,首次发现在LD的激光阈值处各种电特性都同时出现了不连续的突变,除了可将其用于精确而又方便地测定LDs的阈值外,更在基础研究方面具有重要意义。...
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