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GaAs衬底InP-PIN探测器直接键合研究

2007年

应用技术

成果简介

　　直接键合技术是实现光电集成和新结构器件的重要手段，本项目组在合同执行过程中，通过探索得到实验方法，利用自行设计的实验设备，很好的完成了合同书中的各项要求，取得的成果如下：
　　1、提出三步贴合的实验方法，自行设计了键合实验设备；
　　2、掌握了低温键合的关键工艺，在350℃实现了InP-GaAs材料的异质键合；
　　3、对键合样品的界面特性做了详细的分析（如...

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