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高频大功率GaN器件研制

2007年

应用技术

成果简介

GaN作为第三代半导体材料，除已在发光器件中得到产业化应用外，在微电子器件方面，由于材料带隙宽、电子饱和速率高、击穿场强大、具备形成二维电子气的异质结体系等特点，其器件非常适合微波大功率、抗辐射和高温环境应用，越来越受到高度重视。本项目拟针对高频大功率应用，深入研究GaN的自发极化和压电极化效应，优化AlGaN/GaN HFET材料结构设计，研究器件制造和器件封装中的关键技术，开发实用的C...

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