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大直径SiGe/Si外延材料研究及产业化开发

2007年

应用技术

成果简介

主要研究内容：改进具有自主知识产权的红外加热超过真空化学气相淀积（UHV/CVD）锗硅外延设备以适用小批量制作5～6英寸锗硅外延材料。研究满足大功率锗硅HBT和锗硅外延单片集成电路需要的材料。研究（UHV/CVD）大直径锗硅外延片的工艺规范，工艺流程和测量方法。研究8英寸锗硅外延生长技术并提供样品。锗硅外延片中锗含量控制在0～15%以内，片内均匀性±5%，片间均匀性±5%。课题目标：要研究...

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