首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

高质量大尺寸自支撑GaN衬底技术

2007年 应用技术
  • 成果简介
在国内率先研制出2英寸毫米级、低位错密度的高质量自支撑GaN衬底，在光照明、光存储、光显示、光探测等半导体光电子器件及微电子器件领域有重要应用。研制出国内第一台用于高质量GaN生长的多源多片氢化物气相外延生长系统；GaN厚膜生长速率超过200μm/h，横向外延GaN薄膜位错密度低于106/cm；2英寸GaN/蓝宝石激光剥离技术快速（不超过30分钟）、稳定、可重复，剥离后获得的GaN衬底表面...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统