国家科技成果网
热门搜索:  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

国家科技成果网 首页 成果 查看内容

碳化硅(SiC)

2007年 应用技术
  • 成果简介
碳化硅(SiC)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(GaAs)后发展起来的第三代半导体材料。由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度等特点,使得它军用和航天领域的高温、高频、大功率光电器件方面具有优越的应用价值,并逐步取代现有的硅和砷化镓基光电器件。...
相关成果

标签云

相关机构

Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位:科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统