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0.18μmCMOS工艺10Gb/s4:1复接电路

2007年

应用技术

成果简介

　　利用0.18μmCMOS工艺实现10Gb/s光发射机4:1复接电路芯片。该电路采用树型结构，低速复接单元采用双相动态伪NMOS逻辑实现，高速复接单元采用SCL锁存器和选择器结构，以实现性能的优化。该复接器输出信号单端峰峰值180mV，电路功耗仅为180mW，最高复接输出速率为10.8Gb/s。
本成果利用0.18μmCMOS工艺实现用于速率为10Gb/s光发射机的低功耗复接...

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