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0.18μmCMOS工艺10Gb/s激光驱动器

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　利用0.18μmCMOS工艺实现10Gb/s光发射机激光驱动电路芯片。核心单元为两级直接耦合的差分放大器。电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽、降低功耗。经测试，该芯片在1.7V电源电压时，最高可工作在11Gb/s，输入10Gb/s，单端峰峰值为0.3V的信号时，在50Ω负载上的输出电压摆幅超过1.7V，电路功耗约为77.4mW。
本成果利用0.18μmC...
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