首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

一种带加热退火的杜瓦瓶装置

2000年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本实用新型涉及半导体材料和器件芯片的后处理及低温装置，特别是红外半导体探测器芯片的加热退火及低温杜瓦瓶装置。为了提高红外光电探测器芯片的性能，使其适合于各种用途的需要，如航天、航空遥感、军事、医学、生物工程、信息技术等，往往需要在其制备完成后，经历在真空或某一气氛下退火这一工序。如果样品经退火处理后，从退火炉中取出，再装入低温杜瓦进行性能测试，中间经历了与外界环境相接触的过程，其表面状态极...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统