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高温微电子器件用GSMBE氮化物材料

2000年

应用技术

初期阶段

成果简介

1.课题来源与背景：
本课题来源于国家“九五”重点科技攻关计划。GaN基氮化物材料是制作高频、大功率、高温电子器件的理想材料，具有潜在的发展优势，是微电子领域前沿器件所需的新型半导体材料。中科院半导体所在八五期间利用MBE技术已在蓝宝石衬底上外延出性能较好GaN薄膜材料，为九五攻关奠定了一定的基础。
2.技术原理及性能指标：
GSMBE技术是MBE...

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