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纳米SiC薄膜制备及发光特性研究

2007年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
“纳米SiC薄膜制备及发光特性研究”系河北省自然科学基金项目(项目编号：503129，资助金额12.0万)；“螺旋波等离子体化学气相沉积SiC薄膜”系河北省省教育厅河北省普通高等学校博士科研资助基金项目(项目编号：B2003118，资助金额3.0万)。
碳化硅以其宽禁带、大电子饱和漂移速率、高临界雪崩击穿电场和高热导率等特点，在大功率、耐高温和抗辐射电子器件方面具有优越...
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