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全息存储光折变晶体材料研究

2004年 应用技术
  • 成果简介
纯铌酸锂晶体的光折变性能较差,掺入金属离子后,其光折变性能大为提高,如掺入Fe、Cu、Mn、Ce。但是另一个问题又出现了,这就是抗光损伤问题。为了解决这个问题,课题组掺入Mg、Zn、In离子可以提高抗光损伤和光存储的响应速度问题。能够将金属离子和抗光折变离子同时掺入,即解决大的光折变性能又提高抗光损伤能力,是课题组进行掺杂研究的主要工作。通过大量实验,解决了掺杂离子的作用机理和掺杂离子的阈值浓度问...
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