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GaAsASIC关键技术研究

1999年 应用技术
  • 成果简介
该子专题主要突破了以下关键技术：(1)CAD优化设计和制版绘图仿真验证技术；(2)Φ3″GaAs园片有源区制备技术包括：Se+注入，Si+注入及埋层注入等；(3)Φ3″GaAs园片工艺制造技术包括：0.8μm细条光刻，各向导性干法刻蚀，1.5mm×1.5mm互连孔的平面化互连，阈值电压，偏差GVth≤200mv精确控制技术及难熔栅自对准技术等；(4)工艺过程监测(PCM)技术；(5)GaAsASI...
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