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ITO透明半导体膜的研制

2003年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本项目主要是在玻璃衬底上研制满足材料新要求的ITO透明半导体薄膜，研究了各种工艺条件（气氛压力、氧氩比、靶材、温度、溅射速率和时间等）对薄膜性能的影响，摸索出了直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺条件，使所镀制的薄膜电阻率降到了＜2.5×10^(-4)Ωcm 的水平，这一指标与国内同类产品比较来看是更为先进的。并且，所研制的ITO透明半导体膜进一步提高了镀膜速率和减少了退火时间。因此本项...
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