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超高真空化学气相外延设备和锗硅异质结双极晶体管

2005年

应用技术

成果简介

自从1998年10月IBM首次量产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)以来，SiGe技术获得了长足的进展。由于SiGeHBT具有GaAs的性能，而与硅工艺的兼容性又使其具有硅的低价格，因此SiGeHBT技术已成为RF集成电路市场的主流技术之一，并对现代通信技术的发展产生了深远的影响。清华大学在国家“九五”计划、国家自然科学基金和“863”计划等项目的支持下，多年来对SiGe材料的生长设备、Si...

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