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锗-硅合金单晶及晶片制造

2003年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

该项目采用CZ法，根据掺锗量的大小，用变速拉晶工艺来控制合金中锗的有效分布，成功地制备出了不同掺锗量的直径50-76mm、锗含量为1-10wt％的、组份比较均匀的锗硅合金单晶及晶片。当掺锗浓度在5wt％以下时可生长无位错单晶，5-10wt％时可制备出有位错单晶。同时该项目利用SEM、SIMS等分析手段对锗硅合金单晶中锗的含量和分布形式进行了检测：该成果达到国内领先水平。...

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