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碲镉汞器件金属电极的剥离方法

2003年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　本发明公开了一种半导体器件金属电极的剥离方法，它是将带有金属电极的半导体器件放入存有Hg的容器中，使金属电极面和Hg液面接触，利用Hg溶剂对金属的物理溶解、达到剥离金属电极的目的，所说的Hg液面上覆盖一层有机溶剂或水或有机溶剂和盐酸的混合液，以抑制Hg的挥发。本发明方法适用于可以与Hg互溶的In、Sn-Au、Au、Al、Cu等金属电极材料，并且操作方法十分简便，无需专门的设备与特殊的技术。...

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