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一种器件转移方法

2003年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及采用多孔硅分离技术将硅衬底上制作的器件转移到特定衬底上实现器件的转移。属于微电子领域。
本发明特征是利用阳极氧化的方法在单晶硅片上制作具有分层结构的多孔硅，在多孔硅的外延层上制作器件，采用倒装贴片技术将电路与特定基体孙键合，利用特殊方法在多孔层区域将衬底硅与已制作器件的上层硅分离。这种技术制作的电路具有散热好、功耗低，在大功率器件以及移动通信系统所使用的射频电...
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