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一种提高红外探测器热释电响应的方法

2003年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　本发明是一种以离子注入技术提高红外探测器热释电响应的方法，属于集成铁电制造工艺。系采用He离子注入结合热处理在红外探测器下面的硅衬底中产生一空腔层，减少热释电材料所吸收的热量向硅衬底扩散，从而提高热释电红外探测器的响应度。同时采用脉冲激光沉积技术在有空腔层衬底上沉积与铁电薄膜晶格相匹配的子晶层，采用金属有机热分解法制备出高热释电系数、织构的铁电薄膜。
　　本发明的效果在于：
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