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CMOS/SIMOX-SOI电路

2005年

应用技术

成果简介

一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、成果简介：优化了制备SIMOX材料的工艺条件，研制出符合器件要求的SIMOX材料，电子和空穴迁移率均超过了原合同的指标，开发一个快速的SIMOX顶层硅膜和预埋氧化层厚度计算程序POISS；2、建立起一套短沟道全耗尽CMOS/SOISALICIDE工艺；3、应用该工艺研制出沟长为1.0微米的SIMOX器件和19级CMOS/SLMOX环形振荡器，环振门延迟...

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