首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

0.8-1.2微米微细加工艺技术

2005年 应用技术
  • 成果简介
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、工艺技术方面：成功开发了包括多晶硅发射区、浅结和薄基区、硅深槽刻蚀和隔离、E-B侧墙氧化物自对准、钴硅化物自对准接触及其引用线技术、双层金属布线、芯片背面溅射金属化技术等一整套当前国际上正在采用的先进亚微米多晶硅发射极双极工艺技术，该套工艺技术有多项创新，反映了当前世界双极工艺技术的特征，其中自对准钴硅化物结构成功地用于双极技术在国际上是首例。2、在器...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统