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绝缘栅双极晶体管(IGBT)研究与中试

2004年

应用技术

成果简介

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有该项目和北工大进行。在国内的生产更是空白。国内的器件应用全靠进口。项目承担人袁寿财是国内最早从事IGBT研究的人员和专家之一，所有技术是自己研制和开发，属自有技术。包括平面工艺和目前最先进的Trench(槽)工艺，采用VLSI侧墙自对准和硅化物自对准技术，使工艺极大地简化。国内外同类产品以及与同行企业的比较：在国内领先。市场规模...

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