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新颖的立式高真空MOCVD系统及GaN外延生长

2003年 应用技术
  • 成果简介
该项目组研制的立式双室双气流MOCVD系统,结构独特,具有创新性,达到国内领先、国际先进水平。利用该MOCVD系统在蓝宝石和硅单晶衬底上成功的生长出高质量的GaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、p型GaN以及多量子阱多层结构材料,并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管,性能良好,具有实用价值。该设备的进一步推广应用,不仅能产生更大的经济效益,而且对推动中国GaN基光电子技术材料与器件...
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