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新型UHV/CVD系统及器件级薄外延层生长

2003年

应用技术

成果简介

项目组自行设计研制成的UHV/CVD-Ⅱ设备采用三室一体结构，生长室本底真空4.5×10^(-8)Pa，预处理室真空1.2×10^(-7)Pa，进样室真空达1.0×10^(-4)Pa，真空度指标为国际领先水平。发展了UHV/CVD低温外延技术，生长出优质厚度0.2～1μm硅外延层，使用该材料研制成器件性能良好硅高频肖特基二极管；生长出优质SiGe/Si，SiGeC/Si，锗量子点和锗纳米线等。该技...

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