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固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜

2003年 应用技术
  • 成果简介
该成果以固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的技术包括以下步骤:将衬底置于气相沉积反应室中,加热至150~700℃;以Zn的固态金属有机物作为原材料,置于反应室的石英管中,在100~400℃下升华或蒸发,成气态,并在压强为101~103Pa的生长气氛中发生分解或反应,在衬底上形成ZnO薄膜。该成果的优点是:1)采用固态源,排除了溶剂蒸气对ZnO薄膜的影响;2)真空度要求低,设备简单;3)薄膜的沉积速率...
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