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大面积高质量GaN自支撑衬底制备技术

2003年 应用技术
  • 成果简介
该大面积高质量GaN自支撑衬底制备技术首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在ELOGaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再进行表面抛光处理，就可以获得高质量GaN自支撑衬底。该成果结合了3种不同技术的优点：可获得高质量的位错密度的GaN薄膜；可以快速生长大面积GaN厚膜；可以快速无损伤地...
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