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氮化镓(GaN)极性控制技术

2003年

应用技术

成果简介

该成果在监宝石衬底上生长氮化镓，生长系统的生长温度：低温区在850～900℃，高温区在1050～1100℃范围内，将HCl(源HCl)/氮气载气通入含金属镓管路，在通入HCl/氮气载气的同时，氨气和氮气载气、额外HCl/总氮气也通入系统；3路气体在监宝石衬底表面混合，得到氮化镓薄膜。该成果通过将一定量的HCl添加到传统HVPE生长方法中的总氮气流中，引入GaCl和NH_3混合生长区，通过改变蓝宝石...

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